Ausführung
max. Spannung
max. Strom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Gehäuse
Verlustleistung W (DC)
Montage
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Artikelbeschreibung
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Ausführung
max. Spannung
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Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Gehäuse
Verlustleistung W (DC)
Montage
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max. Temperatur
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 75 V, 80 A, TO-220, IRFB3607PBF
Bestellnr.:
 31S3225
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRFB3607PBF
Sofort verfügbar: 110 Stk. Verfügbar in 5 Tagen: 4.350 Stk. Ab Hersteller: 1 Woche **
Gesamtpreis: 11,90 € *
10 Stk.
1,1900 €
50 Stk.
1,0353 €
656 Stk.
0,8330 €
1312 Stk.
0,7854 €
2624 Stk.
0,7140 €
N-Kanal
75 V
80 A
9 mΩ
TO-220
140 W
THT
-55 °C
175 °C
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 100 V, 42 A, TO-247, IRFP150NPBF
Bestellnr.:
 24S3299
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRFP150NPBF
Sofort verfügbar: 1.328 Stk. Ab Hersteller: 43 Wochen **
Gesamtpreis: 1,67 € *
1 Stk.
1,6660 €
10 Stk.
1,3447 €
100 Stk.
1,1424 €
250 Stk.
0,9877 €
1000 Stk.
0,8568 €
N-Kanal
100 V
42 A
36 mΩ
TO-247
140 W
THT
-55 °C
175 °C
Infineon Technologies P-Kanal HEXFET Power MOSFET, -55 V, -31 A, TO-220, IRF5305PBF
Bestellnr.:
 24S3250
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRF5305PBF
Sofort verfügbar: 480 Stk. Verfügbar in 5 Tagen: 3.870 Stk. Ab Hersteller: 1 Woche **
Gesamtpreis: 1,30 € *
1 Stk.
1,2971 €
10 Stk.
0,9282 €
100 Stk.
0,7973 €
500 Stk.
0,6902 €
1000 Stk.
0,6307 €
P-Kanal
-55 V
-31 A
60 mΩ
TO-220
110 W
THT
-55 °C
175 °C